Cách đây 2 năm, TSMC đã sản xuất chip tiến trình 7nm và hiện nay đang sản xuất chip 5nm, dòng chip này dự kiến sẽ được trang bị cho sản phẩm của Huawei và Apple.

Tuy nhiên không dừng lại đó, TSMC tiếp tục với kế hoạch sản xuất tiến trình 3nm, thông số kỹ thuật của tiến trình 3nm được TSMC tiết lộ sẽ mật độ bóng bán dẫn tăng lên thêm 15% so với tiến trình 5nm, cùng với đó hiệu suất cũng sẽ tăng thêm 10% – 15%, hiệu suất năng lượng tăng 20% – 25%.

Trước đây cũng có thông tin cho rằng TSMC sẽ bỏ dần việc sản xuất tiến trình FinFET 3nm và chuyển sang GAAFET, nhưng gần đây hãng đã phát triển thành công tiến trình 2nm bằng công nghệ bóng bán dẫn GAA, tức là tiến trình 3nm của TSMC dự kiến cũng sẽ được sử dụng FinFET.

Tóm lại, sự phát triển chip tiến trình 2nm của TSMC cũng sẽ là tin không vui đối với Samsung, đây là đối thủ trong thời gian qua cũng đã tuyên bố sẽ chuyển sang sử dụng công nghệ GAAFET và bỏ qua tiến trình 4nm để phát triển 3nm để theo kịp TSMC.